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该异质结构由二硫化钼(MoS2)嵌入通道、中文hBN隧道阻挡层和二硒化钨层组成。图2a显示了具有多端石墨烯接触的代表性WSe2/hBN/MoS2异质结的示意图和光学显微镜图像,新预在WSe2/hBN/MoS2异质结区,新预由于光生激子的层间电荷转移过程,所有峰的强度都降低。
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断面透射电镜图证实了由四层WSe2、中文三层hBN和三层MoS2组成的WSe2/hBN/MoS2异质结的结构和界面。新预这就导致了与传统体MODFET或HEMT中二维电子气(2DEG)类似的受限MoS2沟道的掺杂。
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